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AI数据中心主要依赖400G及以上高速光�？�，硅光DR�？槌晌髁�，面临提升调制器带宽和效率的挑战，薄膜铌酸锂调制器成为未来高速率光�？榈那痹诮饩黾苹�。
AI数据中心的应用需求基本都是400G及以上的高速光�？�，光�？樗俾实奶嵘孕酒拇硪笤嚼丛礁�。现在400G以上速率的光�？橛泄韫夂妥杂煽占涔饬街质忠占苹�，其中硅光的DR�？槭窍衷诘闹髁骷苹�。
光�？榈拇渌俾嗜【鲇诘髦破鞫怨庑藕诺牡髦扑俾�，速率越高，调制器的带宽就需要越大。直调的DFB芯片的带宽在速率凌驾50Gbps之后很难提升，只能通过EML外调制来提升。可是EML芯片的制品率低，工艺制作难度大，本钱高昂始终是个禁止忽视的问题。在古板的自由空间光封装中，需要LD与Driver的带宽同时提升才华知足高速率的使用要求，在高速率应用中是个手艺攻关与本钱攻克难题。
硅光计划可以完善解决这个问题，关于多通道并行计划的封装，硅光的调制器速率在100G以内是足够用的，只需要外部增添一个DFB的大功率光源即可，调制功效由硅光PIC的调制器实现，DFB的芯片也不需要对调制带宽有过高的要求。并且硅光PIC的制作工艺与CMOS平台完全兼容，可以大规模批量生产。
目今，400G/800G光�？橐谎匠＝幽晒韫獾髦破骰駿ML激光器计划，可知足单波最高速率100Gbps的需求。硅光调制器带宽和电吸收调制器功耗的限制，实现单波200Gbps数据速率保存较大挑战，需要攻克调制器带宽和效率提升手艺，以知足下一代1.6T及以上光�？榈氖忠盏枨��？稍ぜ狭砍墒斓奶婊患苹潜∧ゎ晁犸髦破�，具有更高的带宽潜力和调制效率，在主干相关通讯网络中已实现规� ；τ�。针对短距离光�？橛τ�，薄膜铌酸锂调制器的性能完万能支持800G、1.6T及更高速率光�？�。
高速率调制器生长应用
